مطالعه ساختار و اندازه گیری پارامترهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار سلنیدقلع (snse) تهیه شده به روش حمام شیمیایی در دمای اتاق

تاثیر دمای حمام شیمیائی بر تغییرات نانو ساختار لایه نازک CdS تهیه شده به روش نشست شیمیایی در حمام

تهیه لایه های نازک سلنید قلع(snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی خواص ساختاری و نوری آنها در دمای اتاق

چکیده: سلنید قلع (snse)نیمرسانایی از نوع iv-vi بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی- نظیرش در دیودهای نورگسیل، دیودهای لیزری، در کلیدزنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده است. برای تهیه فیلم های snse با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیردر خلاء، کندوپاش و حمام شیمیایی استفاده می شود. از بین این روش ها، س...

تهیه ی لایه های نازک نانوساختار سلنید قلع (snse) به روش حمام شیمیایی و بررسی ترابرد الکترونی آن ها در محدوده ی دمایی 120-400 کلوین

سلنید قلع (snse) یکی از نیم رساناهای iv-vi است. این نیم رساناها مدت بیش از یک دهه است که بخاطر خواص بی نظیرشان در اپتو الکترونیک مانند دیود های نور گسیل، دیود های لیزری، کلید زنهای حافظه ای و تولیدات مادون قرمز توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. برای تهیه فیلم های سلنید قلع با کیفیت بالا از روش های مختلفی مانند نهشت بخار شیمیایی، رونهشتی باریکه مولکولی، الکتروشیمیایی، تبخیر و کندوپاش استفاده می...

ارزیابی الکتروشیمیایی سل خورشیدی رنگینه‌ای تهیه شده با الکترودهای لایه نازک نانوساختار و رنگینه طبیعی

  امروزه سل‌های خورشیدی رنگینه‌ای با توجه به هزینه ساخت پایین نسبت به دیگر سل‌های خورشیدی تبدیل انرژی نور به انرژی الکتریکی را بسیار مقرون به صرفه ساخته و از آن‌ها به عنوان نسل سوم سل‌های خورشیدی و از دسته سل‌های لایه نازک نانوساختاری نام می­برند. معمولاً تیتانیوم دی اکسید به عنوان نیمه رسانا این نقش را ایفا می‌کند و الکترون­های برانگیخته شده را از رنگ ینه به الکترود شمارشگر (کاتد) انتقال می‌دهد...

لایه‌نشانی، مشخصه‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

تأثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیم بر خواص ساختاری و نوری لایه نازک نانوساختار سولفید کادمیم تهیه شده به روش نشست شیمیایی

با توجه به اهمیت تهیه لایه‌های نازک نانوساختار نیمه ‌‌هادی‌های نوری گروه II-VI از طریق روش‌های ارزان و ساده شیمیایی، در کار پژوهشی حاضر ضمن استفاده از روش لایه نشانی شیمیایی CBD، در راستای کنترل رشد چنین لایه‌هایی، تاثیر غلظت عامل کمپلکس‌ساز نمک آمونیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه‌های نازک CdS تهیه شده به این روش، توسط تکنیک‌های آنالیز XRD، SEM، AFM و UV-Visible مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت. ن...